应用特性: | 物理特性: | |||
10G 数据传输 | 插拔次数:>1000次 | |||
10 ABSE-T the Emet | 插拔强度:<68N | |||
100 ABSE-T the Emet | ||||
1000 ABSE-T the Emet | ||||
622 Mbps TM | ||||
电气特性: | 结构特性: | |||
多模应用:850nm-1310nm | 陶瓷套管及金属或塑料外壳 | |||
单模应用:1265nm-1625nm | 光学原理端面研磨 | |||
稳固的旋钮式与扣合式工程结构 |
物理性能: | |||
耐久性(变化范围) | 插拔次数>1000次<0。dB | 温度循环变化<0。dB | |
物理强度 | <19.6N | ||
推压强度 | <98.0N | ||
<68.6N | |||
光学性能: | |||
项目 | SM(9) | MM(62.5&50) | |
ST&SC LC | ST&SC LC MTRJ | ||
插入损耗(dB) | 0.2 0.2 | 0.3 0.2 0.4 | |
回波损耗(dB) | 50 55 | 30 30 20 |